808nm Diode Laser Infrarouge Monomode

808nm Diode Laser Infrarouge Monomode

808nm Diode Laser Infrarouge Multimode

808nm Diode Laser Infrarouge Multimode

808nm Diode Laser Infrarouge Multimode

Nom du produit: 808nm, forfait TO
Diode Laser puissance de sortie: 200mW, 300mW, 500mW, 1000mW, 3000mW
Application: pointeurs laser, l'équipement laser infrarouge source, mesure de haute précision, le module laser, équipement de diode laser, instruments médicaux, les applications aérospatiales
Longueur d'onde: 808±3nm

Regular Price 448,98 $US Special Price 419,98 $US
Availability: In stock
SKU
808MM-LD-TO

Conçu et fabriqué avec la gamme de 200mW-3000mW, les projets de 808nm diodes laser multimode source de lumière laser le plus puissant et intense infrarouge pour toutes les industries de haute puissance de sortie. Cette 808nm diode laser multimode avec forfait TO permet la performance la plus fiable et stable dans toutes sortes de CW diodes lasers.

Caractéristiques en vedette:
Puissance de 808nm diode laser multimode haut de sortie: 200mW-3000mW
Haut faisceau un rayonnement laser d'intensité
Largeur de seulement 808±3nm de ligne super-étroite
Divergence de faisceau faible et une petite ouverture d'émission de lumière laser
Des performances fiables et stables


Paramètres techniques standard de la 808nm diode laser multimode:

Point Symbole MM LD-808-200 MM LD-808-300 MM LD-808-500 MM LD-808-1000 MM LD-808-3000 MM LD-808-5000
CW Puissance de sortie P 200mW 300mW 500mW 1000mW 3000mW 5000mW
Longueur d'onde crête λp 808±3nm 808±3nm 808±3nm 808±3nm 808±3nm 808±3nm
Seuil de courant Ith ≤0.06A ≤0.08A ≤0.15A ≤0.26A ≤1.0A ≤1.1A
Courant de fonctionnement Iop ≤0.28A ≤0.38A ≤0.65A ≤1.3A ≤3.5A ≤5.2A
Efficacité de pente η ≥0.95W/A ≥0.95W/A ≥0.9W/A 1.0W/A ≥1.0W/A ≥1.0W/A
Tension de fonctionnement Vop ≤2.2V ≤2.2V ≤1.9V ≤1.9V ≤2.2V ≤2.2V
Horizontal Divergence de faisceau θ∥ ≤8 deg
≤8 deg
≤12 deg ≤12 deg ≤12 deg ≤12 deg
Vertical Divergence du faisceau θ⊥ ≤38 deg ≤38 deg
≤40 deg ≤40 deg ≤40 deg ≤40 deg
Coefficient de température longueur d'onde   0.2nm/℃ 0.2nm/℃ 0.3nm/℃ 0.3nm/℃ 0.3nm/℃ 0.3nm/℃
Polarisation   TE TE TE TE TE TE
Température de stockage Tstg -40~80℃ -40~80℃ -40~80℃ -40~80℃ -40~80℃ -40~80℃
Température de fonctionnement Tc 10~40 10~40 -20~30℃ -10~50℃ -10~50℃ -10~50℃
Emballez   TO18 TO18 TO3 /TO5  TO3 /TO5 TO3 TO3

 

TO 18, TO 3, TO 5 paquet Pour 808nm diode laser MM (multimode) tirage:

TO18 TO5 808nm Diode laser Multitode

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