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808nmマルチモード赤外線レーザーダイオード

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Regular Price: $448.98

Special Price $419.98

Quick Overview

製品名:808nm、TOパッケージ
レーザダイオード出力電力:200mW、300mW、500mW、1000MW、3000mW
アプリケーション:レーザーポインター、赤外レーザ光源装置は、高精度測定、レーザモジュール、半導体レーザ装置、医療機器、航空宇宙用途
波長:808±3nm

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Details

デザインと200mWの-3000mW、全工業ための808nmマルチモードレーザダイオードプロジェクト最もパワフルで強烈な赤外レーザー光源の高出力電力範囲で製造。パッケージへの持つこの808nm赤外レーザダイオードは、CWダイオードレーザーすべての種類中で最も信頼性高い安定した性能を可能にします。

注目の特性:
高出力マルチモード808nmレーザダイオード:200mW-3000mW
高いビーム強度レーザ放射
唯一808±3nmスーパー細い線幅
低ビーム発散と小さいレーザ光出射開口
信頼性と安定した性能

808nmマルチモード赤外線レーザダイオード標準的な技術パラメータ:

アイテム 
シンボル MM LD-808-200 MM LD-808-300 MM LD-808-500 MM LD-808-1000 MM LD-808-3000 MM LD-808-5000
CW出力電力 P 200mW 300mW 500mW 1000mW 3000mW 5000mW
ピーク波長 λp 808±3nm 808±3nm 808±3nm 808±3nm 808±3nm 808±3nm
閾値電流 Ith ≤0.06A ≤0.08A ≤0.15A ≤0.26A ≤1.0A ≤1.1A
操作電流 Iop ≤0.28A ≤0.38A ≤0.65A ≤1.3A ≤3.5A ≤5.2A
スロープ効率 η ≥0.95W/A ≥0.95W/A ≥0.9W/A ≥1.0W/A ≥1.0W/A ≥1.0W/A
操作電圧 Vop ≤2.2V ≤2.2V ≤1.9V ≤1.9V ≤2.2V ≤2.2V
水平ビーム発散 θ∥ ≤8 deg
≤8 deg
≤12 deg ≤12 deg ≤12 deg ≤12 deg
垂直ビーム発散 θ⊥ ≤38 deg ≤38 deg
≤40 deg ≤40 deg ≤40 deg ≤40 deg
波長温度係数   0.2nm/℃ 0.2nm/℃ 0.3nm/℃ 0.3nm/℃ 0.3nm/℃ 0.3nm/℃
偏光   TE TE TE TE TE TE
保存温度 Tstg -40~80℃ -40~80℃ -40~80℃ -40~80℃ -40~80℃ -40~80℃
動作温度 Tc 10~40℃ 10~40℃ -20~30℃ -10~50℃ -10~50℃ -10~50℃
パッケージ   TO18 TO18 TO3 /TO5  TO3 /TO5 TO3 TO3

 

TO18、TO3、TO5パッケージ808nmMM(マルチモード)レーザダイオードドロー:

TO18 TO5 808nm Multitode laser diode

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