English ·  Español ·  Français ·  Italiano ·  日本語 ·  한국어 · 
Currencies:
Advanced

808nmマルチモード赤外線レーザーダイオード

Be the first to review this product

Payment Option:

Availability: In stock

Regular Price: $459.20

Special Price $419.98

Quick Overview

 


製品名:808nm、Cマウントパッケージ
レーザダイオード出力電力:500mW、1000MW、2000mW、2500mW、5000mW、10000mW
アプリケーション:レーザーポインター、赤外レーザ光源装置は、高精度測定、レーザモジュール、半導体レーザ装置、医療機器、航空宇宙用途
波長:808±3nm、808±4nm、808±5nm、808±10nm


 

* Required Fields

Details

デザインと500mW-5000mW、工業ための808nmマルチモードレーザダイオードプロジェクト最もパワフルで強烈な赤外レーザー光源高出力電力範囲で製造。 Cマウントを持つこの808nm赤外レーザダイオードは、CWダイオードレーザーすべての種類中で最も信頼性高い安定した性能を可能にします。

注目の特性:
高出力マルチモード808nmレーザダイオード:500mW-5000mW
高いビーム強度レーザ放射
唯一808±3nmスーパー細い線幅
低ビーム発散と小さいレーザ光出射開口
信頼性と安定した性能

808nmマルチモード赤外線レーザダイオード標準的な技術パラメータ:

アイテム  シンボル        MM LD-808-500 MM LD-808-1000 MM LD-808-2000 MM LD-808-2500 MM LD-808-5000 MM LD-808-10000CN
CW出力電力 P 500mW 1000mW 2000mW 2500mW 5000mW 10000mW
ピーク波長 λp 808±5nm 808±4nm 808±3nm 808±3nm 808±3nm 808±10nm
閾値電流 Ith ≤0.13A ≤0.36A ≤0.6A ≤0.5A ≤0.75A ≤1.2A
操作電流 Iop ≤0.60A ≤1.3A ≤2.6A ≤2.7A ≤5.2A ≤11A
スロープ効率 η ≥1.0W/A ≥1.0W/A ≥1.1W/A ≥1.2W/A ≥1.1W/A ≥1.2W/A
操作電圧 Vop ≤2.0V ≤2.2V ≤2V ≤2.2V ≤2.0V ≤2.2V
水平ビーム発散 θ∥ ≤10 deg
≤8 deg
≤12 deg ≤8 deg ≤10 deg ≤12 deg
垂直ビーム発散 θ⊥ ≤38 deg ≤36 deg
≤70 deg ≤36 deg ≤36 deg ≤40 deg
波長温度係数   0.3nm/℃ 0.25nm/℃ 0.28nm/℃ 0.25nm/℃ 0.28nm/℃ 0.28nm/℃
偏光    TE TE TM TM TM TM
保存温度 Tstg -10~60℃ -10~80℃ -40~60℃ -10~80℃ -10~80℃ -40~80℃
動作温度 Tc 0~35℃ 0~30℃ -15~35℃ -20~30℃ -20~30℃ 15~35℃
パッケージ   C-Mount C-Mount C-Mount  C-Mount C-Mount CN-Mount

 

Cマウントパッケージ808nmMM(マルチモード)レーザダイオードドロー:

C-mount package 808nm MM laser diode

Product Tags

Use spaces to separate tags. Use single quotes (') for phrases.

Be the first to review this product

Write Your Own Review

You're reviewing: 808nmマルチモード赤外線レーザーダイオード