808nm 다중 모드 적외선 레이저 다이오드

808nm 다중 모드 적외선 레이저 다이오드

830nm Multimode Infrared Laser Diode

830nm 멀티 모드 적외선 레이저 다이오드

808nm 다중 모드 적외선 레이저 다이오드

제품명: 808nm, C-마운트 패키지
레이저 다이오드 출력 전력: 500mW, 1000mW, 2000mW, 2500mW, 5000mW, 10000mW
응용 분야: 레이저 포인터, 적외선 레이저 소스 장비, 고정밀 측정, 레이저 모듈, 다이오드 레이저 장비, 의료 기기, 항공 우주 응용
파장: 808±3nm, 808±4nm, 808±5nm, 808±10nm


Regular Price US$459.20 Special Price US$419.98
Availability: In stock
SKU
808MM-LD-CM

500mW-5000mW의 고출력 범위로 설계 및 제조된 808nm 다중 모드 레이저 다이오드는 모든 산업 분야에서 가장 강력하고 강렬한 적외선 레이저 광원을 투사합니다. 이 808nm 적외선 레이저 다이오드 C-마운트는 모든 종류에서 가장 안정적이고 안정적인 성능을 제공합니다. CW 다이오드 레이저.

주요 특징:
고출력 다중 모드 808nm 레이저 다이오드: 500mW-5000mW
높은 빔 강도 레이저 방사선
808±3nm의 매우 좁은 선폭
낮은 빔 발산 및 작은 레이저 발광 조리개
안정적이고 안정적인 성능

808nm 다중 모드 적외선 레이저 다이오드의 표준 기술 매개변수:

안건 기호 MM LD-808-500 MM LD-808-1000 MM LD-808-2000 MM LD-808-2500 MM LD-808-5000 MM LD-808-10000CN
CW 출력 전력 P 500mW 1000mW 2000mW 2500mW 5000mW 10000mW
피크 파장 λp 808±5nm 808±4nm 808±3nm 808±3nm 808±3nm 808±10nm
임계값 전류 Ith ≤0.13A ≤0.36A ≤0.6A ≤0.5A ≤0.75A ≤1.2A
작동 전류 Iop ≤0.60A ≤1.3A ≤2.6A ≤2.7A ≤5.2A ≤11A
슬로프 효율 η ≥1.0W/A ≥1.0W/A ≥1.1W/A ≥1.2W/A ≥1.1W/A ≥1.2W/A
작동 전압 Vop ≤2.0V ≤2.2V ≤2V ≤2.2V ≤2.0V ≤2.2V
수평 빔 발산 θ∥ ≤10 deg
≤8 deg
≤12 deg ≤8 deg ≤10 deg ≤12 deg
수직 빔 발산  θ⊥ ≤38 deg ≤36 deg
≤70 deg ≤36 deg ≤36 deg ≤40 deg
파장 온도 계수   0.3nm/℃ 0.25nm/℃ 0.28nm/℃ 0.25nm/℃ 0.28nm/℃ 0.28nm/℃
편광   TE TE TM TM TM TM
보관 온도 Tstg -10~60℃ -10~80℃ -40~60℃ -10~80℃ -10~80℃ -40~80℃
사용온도 Tc 0~35℃ 0~30℃ -15~35℃ -20~30℃ -20~30℃ 15~35℃
패키지   C-마운트 C-마운트 C-마운트 C-마운트 C-마운트 CN-마운트

C-마운트 패키지 808nm MM(다중 모드) 레이저 다이오드 그리기:

C-mount package 808nm MM laser diode

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